Микросхема драйвер IR2104STRPBF, 600В, полумостовой, для моторов, SOIC-8

IR2104STRPBF SOIC-8 — 600 В полумостовой gate driver с функцией shutdown

Драйвер затворов высоковольтных MOSFET/IGBT от International Rectifier (Infineon) для полумостовых топологий

IR2104STRPBF от International Rectifier (ныне Infineon) — это высоковольтный полумостовой драйвер затворов для управления внешними мощными MOSFET или IGBT в полумостовой топологии. В отличие от интегрированных моторных драйверов, IR2104 не содержит собственных силовых выходов — он только формирует сигналы HO/LO для внешних транзисторов, что позволяет проектировать системы практически любой мощности подбором ключей. Floating high-side канал работает по схеме bootstrap и выдерживает напряжение коммутации до 600 В, что делает микросхему подходящей для работы от сетевого напряжения. Вход IN совместим с 3.3 В, 5 В или 15 В CMOS/LSTTL логикой и управляет обоими каналами одновременно: HO в фазе с IN, а LO в противофазе (с учётом фиксированного dead time 520 нс), что облегчает реализацию полумоста одним PWM-сигналом от MCU. Отдельный вход SD позволяет одновременно выключить оба канала в режиме fault или shutdown. Встроенная логика cross-conduction prevention с встроенным dead time исключает одновременное открывание верхнего и нижнего ключей. Матчинг задержек между HS и LS каналами не превышает 60 нс, а устойчивость к dV/dt 50 В/нс делает IR2104 надёжным в быстродействующих силовых преобразователях. UVLO встроенный для V_CC (порог 8.9 В вкл./8.2 В выкл.) предотвращает линейную работу MOSFET при недостаточном напряжении питания.

Области применения

• Мощные DC-DC преобразователи (полумост buck или boost)
• Инверторы и источники бесперебойного питания (UPS)
• Драйверы BLDC и шаговых двигателей высокой мощности (из 3 шт. на 3-фазный двигатель)
• Класс D аудиоусилители
• Сетевые SMPS и PFC-корректоры
• Гальванические развязки и инверторы солнечных панелей
• Силовые цепи на сетевом напряжении

Особенности

• Floating high-side channel до 600 В с bootstrap-питанием
• Управление верхним и нижним N-MOSFET / IGBT одним сигналом IN
• Совместимость с 3.3 / 5 / 15 В логикой (3.3 В MCU без буферов)
• Встроенный dead time 520 нс — предотвращает shoot-through
• Сильный выход source/sink (130/270 мА мин., до 360 мА тип.)
• HS в фазе с IN (проще чем инвертированные аналоги)
• Отдельный вход SD выключает оба канала (fault handling)
• UVLO по V_CC 8.9/8.2 В для защиты MOSFET
• Cross-conduction prevention logic
• Устойчивость к dV_S/dt 50 В/нс
• Matched propagation delay HS/LS ≤ 60 нс
• Устойчивость к негативным переходным на V_S
• Pb-free корпус SOIC-8