Корзина

Зараз компанія не може швидко обробляти замовлення та повідомлення, оскільки за її графіком роботи сьогодні вихідний. Ваша заявка буде оброблена в найближчий робочий день.

Торговое оборудование / Инструменты / Крепеж / Радиодетали

+380 (93) 101-11-11

Микросхема драйвер UCC27517DBVR, низковольтный гейт, SOT-23-5

Микросхема драйвер UCC27517DBVR, низковольтный гейт, SOT-23-5, фото 1
  • Микросхема драйвер UCC27517DBVR, низковольтный гейт, SOT-23-5, фото 2
  • Нет в наличии
  • Код: U*UCC27517DBVR*SOT-23-5

11,52 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴

+380 (93) 101-11-11
Офис
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Микросхема драйвер UCC27517DBVR, низковольтный гейт, SOT-23-5
Микросхема драйвер UCC27517DBVR, низковольтный гейт, SOT-23-5
11,52 ₴
Нет в наличии
+380 (93) 101-11-11
Офис
Описание
Характеристики
Информация для заказа

UCC27517DBVR SOT-23-5 — одноканальный high-speed gate driver 4 А

Low-side драйвер MOSFET/IGBT от Texas Instruments в компактном SOT-23 для высокочастотных SMPS и GaN

ПроизводительTexas Instruments
СерияUCC27517 (симметричный 4 А/4 А)
ТипОдноканальный low-side gate driver
КорпусSOT-23-5 (DBV), 2.90×1.60 мм
VDD4.5…18 В (абс. макс. 20 В)
Пиковый ток (source/sink)±4 А (симметричный)
ROH / ROL5 Ом / 0.5 Ом (тип.)
tr / tf8 нс / 7 нс (тип., CL=1.8 нФ)
Задержка распространения13 нс (тип., best-in-class)
Входы (IN+ / IN−)Два входа: инв./не-инв. конфигурация
Совместимость входовTTL/CMOS логика (3.3 В / 5 В), независимо от VDD
VIH / VIL2.2 В / 1.2 В (тип., гистерезис 1 В)
Enable/DisableЧерез неиспользуемый вход
UVLO4.2 В (гистерезис 300 мВ)
Безопасное состояние FloatingOUT Low при floating входах (внутр. pull)
Независимость VIN от VDDВходы выдерживают до 20 В (не ограничены VDD)
IDD(off)75 мкА (тип., при VDD=3.4 В)
ESD защитаHBM ±4000 В, CDM ±1000 В
RθJA217.6 °C/Вт
Рабочая температура TJ−40…+140 °C

 

UCC27517DBVR от Texas Instruments — это одноканальный высокоскоростной low-side gate driver, рассчитанный на управление внешними MOSFET, IGBT и GaN-транзисторами в высокочастотных SMPS, DC/DC преобразователях, солнечных инверторах и драйверах двигателей. Микросхема обеспечивает симметричный пиковый ток ±4 А (при VDD=12 В) и самую короткую в отрасли задержку распространения всего 13 нс, что делает её идеальным выбором для разработок с минимальным искажением PWM-импульсов. Быстрые фронты tr=8 нс и tf=7 нс позволяют работу на частотах свыше 1 МГц. Главная особенность — двойная входная архитектура с IN+ и IN− пинами, что позволяет использовать одну и ту же микросхему как в инвертирующей, так и в неинвертирующей конфигурации, а неиспользуемый вход применять как enable/disable вход. Входные пороги TTL/CMOS-совместимы с фиксированными уровнями VIH=2.2 В и VIL=1.2 В независимо от VDD — это позволяет управлять микросхемой напрямую от 3.3 В или 5 В MCU/PWM-контроллера, даже если сама микросхема работает на VDD=12 В или 18 В. Широкий гистерезис 1 В обеспечивает устойчивость к помехам. Максимальное напряжение на входах не ограничено VDD и может достигать 20 В, что повышает робастность в помеховых средах. Гибридный выходной каскад из N-MOS и P-MOS транзисторов параллельно обеспечивает максимальный пиковый ток именно во время Miller plateau, когда MOSFET переключается. Встроенный UVLO с порогом 4.2 В и резисторы pull-up/pull-down на входах обеспечивают безопасное состояние Low на выходе при подаче питания, выключении и floating входах — критически важно для безопасной работы силовых каскадов. Миниатюрный корпус SOT-23-5 делает микросхему идеальной для размещения прямо возле каждого MOSFET в многоканальных силовых каскадах.

Области применения

  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • DC/DC преобразователи высокой частоты
  • Драйверы для цифровых контроллеров питания
  • Солнечные инверторы, управление двигателями, UPS
  • Драйверы для перспективных wide band-gap транзисторов (GaN, SiC)
  • Синхронные выпрямители
  • Аудиоусилители класса D

Особенности

  • Пиковый ток ±4 А (симметричный source/sink)
  • Best-in-class 13 нс задержка распространения
  • Быстрые фронты tr=8 нс / tf=7 нс
  • Широкий диапазон VDD 4.5…18 В (вкл. работу <5 В для GaN)
  • Двойной вход IN+ / IN− — инв./не-инв. в одной микросхеме
  • Enable/disable через неиспользуемый вход
  • TTL/CMOS входы (3.3 В/5 В MCU) независимо от VDD
  • Широкий гистерезис 1 В для помехоустойчивости
  • OUT held Low при UVLO и floating входах (безопасный старт)
  • Входы не ограничены VDD — выдерживают до 20 В
  • Гибридный N+P MOS pullup для пикового тока на Miller plateau
  • Расширенный диапазон TJ −40…+140 °C
  • ESD HBM ±4000 В — высокая устойчивость
  • Миниатюрный SOT-23-5 (2.9×1.6 мм)
Пользовательские характеристики
Тип корпусаSOT-23-5
  • Цена: 11,52 ₴