Мікросхема драйвер IR2104STRPBF, 600В, півмостовий, для моторів, SOIC-8

IR2104STRPBF SOIC-8 — 600 В півмостовий gate driver з функцією shutdown

Драйвер затворів високовольтних MOSFET/IGBT від International Rectifier (Infineon) для півмостових топологій

IR2104STRPBF від International Rectifier (нині Infineon) — це високовольтний півмостовий драйвер затворів для керування зовнішніми потужними MOSFET або IGBT у півмостовій топології. На відміну від інтегрованих моторних драйверів, IR2104 не містить власних силових виходів — він лише формує сигнали HO/LO для зовнішніх транзисторів, що дозволяє проектувати системи практично будь-якої потужності відповідним підбором ключів. Floating high-side канал працює за схемою bootstrap і витримує напругу комутації до 600 В, що робить мікросхему придатною для роботи від мережевої напруги. Вхід IN сумісний із 3.3 В, 5 В або 15 В CMOS/LSTTL логікою та керує обома каналами одночасно: HO у фазі з IN, а LO в протифазі (з врахуванням фіксованого dead time 520 нс), що полегшує реалізацію півмоста одним PWM-сигналом від MCU. Окремий вхід SD дозволяє одночасно вимкнути обидва канали в режимі fault або shutdown. Вбудована логіка cross-conduction prevention з вбудованим dead time виключає одночасне відкривання верхнього та нижнього ключів. Матчинг затримок між HS та LS каналами не перевищує 60 нс, а стійкість до dV/dt 50 В/нс робить IR2104 надійним у швидкодіючих силових перетворювачах. UVLO вбудований для V_CC (поріг 8.9 В вкл./8.2 В викл.) запобігає лінійній роботі MOSFET при недостатній напрузі живлення.

Області застосування

• Потужні DC-DC перетворювачі (півміст buck або boost)
• Інвертори та джерела безперебійного живлення (UPS)
• Драйвери BLDC та крокових двигунів високої потужності (з 3 шт. на 3-фазний двигун)
• Клас D аудіопідсилювачі
• Мережеві SMPS та PFC-коректори
• Гальванічні розвязки та інвертори сонячних панелей
• Силові кола на мережевій напрузі

Особливості

• Floating high-side channel до 600 В з bootstrap-живленням
• Керування верхнім та нижнім N-MOSFET / IGBT одним сигналом IN
• Сумісність із 3.3 / 5 / 15 В логікою (3.3 В MCU без буферів)
• Вбудований dead time 520 нс — запобігає shoot-through
• Сильний вихід source/sink (130/270 мА мін., до 360 мА тип.)
• HS у фазі з IN (простіше ніж інвертовані аналоги)
• Окремий вхід SD вимикає обидва канали (fault handling)
• UVLO по V_CC 8.9/8.2 В для захисту MOSFET
• Cross-conduction prevention logic
• Стійкість до dV_S/dt 50 В/нс
• Matched propagation delay HS/LS ≤ 60 нс
• Стійкість до негативних перехідних на V_S
• Pb-free корпус SOIC-8