

27 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
UCC27424DR SOIC-8 — двоканальний високошвидкісний MOSFET driver 4 А
Low-side gate driver від Texas Instruments для керування зовнішніми N-MOSFET у SMPS та DC/DC
| Виробник | Texas Instruments |
| Серія | UCC27424 (обидва канали non-inverting) |
| Тип | Двоканальний low-side gate driver з enable |
| Корпус | SOIC-8 (D), 4.90×3.91 мм |
| VDD | 4…15 В (абс. макс. 16 В) |
| Піковий струм (source/sink) | ±4 А на канал |
| ROH / ROL | 1.2 Ом / 0.7 Ом (тип.) |
| tr / tf | 20 нс / 15 нс (тип., CL=1.8 нФ) |
| td1 / td2 (propagation) | 25 нс / 35 нс (тип.) |
| Delay matching каналів | 1 нс (тип.) — ідеально для паралельної роботи |
| Сумісність входів | TTL / CMOS, 3.3 В sensitivity |
| VIH / VIL (входи) | 2.2 В / 1.2 В (тип., з гістерезисом) |
| Enable (ENBA, ENBB) | Незалежні для кожного каналу, 100 кОм pull-up до VDD |
| Вихідний каскад | Bipolar + MOSFET True Drive (гібрид) |
| Паралельна робота | OUTA+OUTB можна паралелити до ×2 струму |
| Стійкість входів | До −5 В без пошкодження |
| ESD захист | HBM ±2000 В (AEC-Q100), CDM ±1000 В |
| RθJA | 107.3 °C/Вт |
| Робоча температура TJ | −40…+125 °C |
| Температура зберігання | −65…+150 °C |
UCC27424DR від Texas Instruments — це високошвидкісний двоканальний low-side gate driver, розрахований на керування зовнішніми потужними MOSFET у імпульсних джерелах живлення, DC/DC перетворювачах, синхронних випрямлячах та аудіопідсилювачах класу D. На відміну від півмостових драйверів (як IR2104), UCC27424 керує виключно low-side ключами — два незалежних неінвертуючих канали OUTA та OUTB з піковим струмом ±4 А. Унікальний Bipolar+CMOS True Drive вихідний каскад з паралельними біполярними та MOSFET транзисторами забезпечує максимальний струм під час Miller plateau — критичної фази перемикання MOSFET, що суттєво знижує втрати перемикання. Дуже короткі фронти (tr=20 нс, tf=15 нс на 1.8 нФ навантаження) та мала затримка поширення 25…35 нс роблять мікросхему придатною для високочастотних перетворювачів. Входи є TTL/CMOS-сумісними з логічною чутливістю 3.3 В з гістерезисом, що дає пряме підключення від виходів PWM-контролерів. Незалежні enable-входи ENBA/ENBB з внутрішніми 100 кОм pull-up до VDD дозволяють вимикати кожен канал окремо або залишати відкритими для сумісності з індустріальним пін-аутом. Рекордний delay matching між каналами лише 1 нс дозволяє паралельно обєднувати виходи для подвоєння струму до 8 А. Входи витримують від’ємну напругу до −5 В без пошкодження — критична риса для роботи в заважливих силових середовищах.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Тип фільтра | Високочастотний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип корпусу | SOIC-8 |