Мікросхема драйвер UCC27517DBVR, низьковольтний гейт, SOT-23-5

UCC27517DBVR SOT-23-5 — одноканальний high-speed gate driver 4 А

Low-side драйвер MOSFET/IGBT від Texas Instruments у компактному SOT-23 для високочастотних SMPS та GaN

UCC27517DBVR від Texas Instruments — це одноканальний високошвидкісний low-side gate driver, розрахований на керування зовнішніми MOSFET, IGBT та GaN-транзисторами у високочастотних SMPS, DC/DC перетворювачах, сонячних інверторах та драйверах двигунів. Мікросхема забезпечує симетричний піковий струм ±4 А (при V_DD=12 В) та найкоротшу в галузі затримку поширення лише 13 нс, що робить її ідеальним вибором для розробок з мінімальним перекрученням PWM-імпульсів. Швидкі фронти t_r=8 нс та t_f=7 нс дозволяють роботу на частотах понад 1 МГц. Головна особливість — подвійна вхідна архітектура з IN+ та IN− пінами, яка дозволяє використовувати одну і ту ж мікросхему як в інвертуючій, так і неінвертуючій конфігурації, а невикористаний вхід застосовувати як enable/disable вхід. Вхідні пороги TTL/CMOS-сумісні з фіксованими рівнями V_IH=2.2 В та V_IL=1.2 В незалежно від V_DD — це дозволяє керувати мікросхемою прямо від 3.3 В або 5 В MCU/PWM-контролера, навіть якщо сама мікросхема працює на V_DD=12 В або 18 В. Широкий гістерезис 1 В забезпечує стійкість до завад. Максимальна напруга на входах не обмежена V_DD і може сягати 20 В, що підвищує робустність у заважливих середовищах. Гібридний вихідний каскад із N-MOS та P-MOS транзисторами паралельно забезпечує максимальний піковий струм саме під час Miller plateau, коли MOSFET перемикається. Вбудований UVLO з порогом 4.2 В та резистори pull-up/pull-down на входах забезпечують безпечний стан Low на виході при подаванні живлення, вимиканні та floating входах — критично важливо для безпечної роботи силових каскадів. Мініатюрний корпус SOT-23-5 робить мікросхему ідеальною для плацевки прямо біля кожного MOSFET у багатоканальних силових каскадах.

Області застосування

• Імпульсні джерела живлення (SMPS)
• DC/DC перетворювачі високої частоти
• Драйвери для цифрових контролерів живлення
• Сонячні інвертори, керування двигунами, UPS
• Драйвери для перспективних wide band-gap транзисторів (GaN, SiC)
• Синхронні випрямлячі
• Аудіопідсилювачі класу D

Особливості

• Піковий струм ±4 А (симетричний source/sink)
• Best-in-class 13 нс затримка поширення
• Швидкі фронти t_r=8 нс / t_f=7 нс
• Широкий діапазон V_DD 4.5…18 В (вкл. роботу <5 В для GaN)
• Подвійний вхід IN+ / IN− — інв./не-інв. в одному чипі
• Enable/disable через невикористаний вхід
• TTL/CMOS входи (3.3 В/5 В MCU) незалежно від V_DD
• Широкий гістерезис 1 В для помехостійкості
• OUT held Low при UVLO та floating входах (безпечний старт)
• Входи не обмежені V_DD — витримують до 20 В
• Гібридний N+P MOS pullup для пікового струму на Miller plateau
• Розширений діапазон T_J −40…+140 °C
• ESD HBM ±4000 В — висока стійкість
• Мініатюрний SOT-23-5 (2.9×1.6 мм)